Ref.: 001579 | Disponibilidade: Imediata

Diodo retificador Schottky 1N5818 1A 30V

R$ 0,83
Descrição do produto

Diodo Retificador Schottky 1N5818 1A / 30V


Baixa Queda de Tensão e Alta Velocidade


Descrição:

O 1N5818 é um diodo retificador Schottky de alta eficiência, ideal para quem busca minimizar perdas e garantir resposta rápida em circuitos de baixa tensão. Com corrente contínua de até 1 A e tensão reversa de até 30 V, oferece excelente desempenho em aplicações de comutação rápida, proteção de polaridade e conversores de energia. Seu encapsulamento axial DO 41 facilita a montagem em placas e protoboards.


Onde pode ser usado:

Fontes de alimentação comutadas (SMPS) e conversores DC DC de alta frequência 

Diode de free wheeling (comutação livre) em circuitos com cargas indutivas 

Proteção contra polaridade reversa em circuitos alimentados por baterias ou sistemas automotivos

Aplicações em sistemas solares, evitando retorno de corrente das baterias aos painéis 

Circuitos que exigem resposta rápida em alta frequência, como amostragem, detecção de sinal e conversores 

Reguladores de tensão e carregadores de baterias, aproveitando a baixa queda de tensão para maior eficiência 


Vantagens deste componente:

Queda de tensão direta significativamente menor que diodos padrão, resultando em menor dissipação de energia.

Tempo de comutação extremamente rápido, ideal para operações de alta frequência.

Alta capacidade de corrente de surto, garantindo robustez contra picos transitórios.

Estrutura com guard-ring proporciona proteção adicional contra sobretensões.

Versátil e compacto, de fácil aplicação tanto em projetos profissionais como DIY.


Item incluso: 01 peça Diodo retificador Schottky 1N5818

Especificações técnicas

Características Técnicas:

Tipo: Diodo Schottky, retificador de baixa queda de tensão 

Corrente média contínua (I_O): 1 A 

Tensão reversa máxima repetitiva (V_RRM): 30 V

Corrente de surto (I_FSM): até 25 A

Queda de tensão direta (V_F): ~0,55 V até ~0,875 V dependendo da carga 

Corrente reversa (leakage): até ~1000 µA (1 mA) 

Capacitância típica de junção: ~110 pF @ 4 V, 1 MHz 

Encapsulamento: Axial DO 41 (também conhecido como DO 204AL) 

Faixa de temperatura de operação: aproximadamente 65 °C até +125 °C (alguns chegam a 150 °C)

Construção com guard ring para proteção contra surtos e alta eficiência 

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