Transistor IGBT IKW40N120H3 1200V 80A

Transistor IGBT IKW40N120H3 TO-247 Alta Performance em Comutação de Potência

O IKW40N120H3 da Infineon Technologies é um transistor IGBT de última geração, desenvolvido com a tecnologia TRENCHSTOP HighSpeed 3, que oferece excelente desempenho em aplicações de comutação rápida e alta eficiência energética. Com capacidade de suportar até 1200V e 80A, é ideal para sistemas que exigem robustez e confiabilidade.

Aplicações Comuns

- Fontes chaveadas (SMPS)

- Inversores de frequência para motores industriais

- Equipamentos de solda MIG/TIG

- Conversores de energia para energias renováveis (solar/eólica)

- UPS (Fontes de alimentação ininterrupta)

- Controle de potência em sistemas industriais

Este IGBT é amplamente utilizado em projetos que exigem alta eficiência, baixa dissipação térmica e resposta rápida, sendo uma excelente escolha para aplicações industriais e automação de potência.

Item incluso: 01 peça Transistor IGBT IKW40N120H3 1200V 80A.

Características Técnicas

- Tipo: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)

- Tecnologia: TRENCHSTOP HighSpeed 3

- Encapsulamento: TO-247-3

- Tensão máxima coletor-emissor (Vce): 1200V

- Corrente contínua do coletor (Ic): 80A @ 25°C

- Tensão de saturação Vce(sat): 2.05V

- Tensão máxima gate-emissor: ±20V

- Dissipação de potência (Pd): 483W

- Temperatura de operação: -40°C a +175°C

- Montagem: Furo passante (Through Hole)

- Corrente de fuga gate-emissor: 600nA